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　　解析電子負(fù)載的原理及功能選擇

　　電子負(fù)載的原理是控制內(nèi)功率MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量(量占空比大小),靠功率管的耗散功率消耗電能的設(shè)備,它能夠準(zhǔn)確檢測(cè)出負(fù)載電壓，調(diào)整負(fù)載電流，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)模擬負(fù)載短路，模擬負(fù)載是感性阻性和容性，容性負(fù)載電流上升時(shí)間。一般開關(guān)電源電源的調(diào)試檢測(cè)是*的。

　　根據(jù)被測(cè)設(shè)備的輸出特性來(lái)選擇電子負(fù)載：電壓，電流，功率和測(cè)試需求度。電子負(fù)載的模組在測(cè)試時(shí)只能夠單獨(dú)工作或者并聯(lián)操作，串聯(lián)對(duì)于模組來(lái)說(shuō)是很危險(xiǎn)的。所以的狀態(tài)是所有要求均在單模組的量程范圍內(nèi)，其次是通過多模組并聯(lián)能夠?qū)崿F(xiàn)的選型。也就是說(shuō)，所選模組的電壓時(shí)一定要符合測(cè)試要求。單個(gè)模組或者滿裝機(jī)框時(shí)的電流和功率總和要滿足測(cè)試要求。

　　電子負(fù)載應(yīng)該有完善的保護(hù)功能。保護(hù)功能分為對(duì)內(nèi)（電子負(fù)載）保護(hù)功能和對(duì)外（被測(cè)設(shè)備）保護(hù)功能。對(duì)內(nèi)保護(hù)有：過壓保護(hù)，過流保護(hù)，過功率保護(hù)，電壓反向和過溫保護(hù)。對(duì)外保護(hù)有：過流保護(hù)，過功率保護(hù)，吃載電壓荷低電壓保護(hù)。選擇電子負(fù)載應(yīng)該選擇是擁有真保護(hù)國(guó)內(nèi)的電子負(fù)載。如果功能是由硬件實(shí)現(xiàn)的，保護(hù)速度會(huì)很快。如果是由軟件實(shí)現(xiàn)，速度有滯后性，并且模組死機(jī)的話將會(huì)發(fā)生危險(xiǎn)。